骁龙820采用三星14nm FinFET制程工艺,来实现功耗发热和性能之间的平衡。
目前三星14nm FinFET制程已经比较成熟,并且已经应用在了Exynos 7420处理器中。但根据最新的消息,虽然高通一开始计划使用三星14nm FinFET制程工艺来制造骁龙820,但可能最终还会推出另一个采用10nm FinFET制程的版本。
14nm FinFET和10nm FinFET的分别使用的是LPE和LPP版本,分别代表Low Power Early和Laser-Produced Plasma。其中LPE为早期版本,功耗和封装面积都有进步,但相对不成熟,而LPP则是的升级版,性能更加出色。
骁龙820处理器采用高通自主定制的Kryo架构,性能相比骁龙810提升两倍,时钟频率可达2.2GHz,并首次引入14位Spectra影像处理器和Heterogeneous信号处理器,支持2800万像素摄像头和4K超清视频摄录和播放以及4K分辨率屏幕。
图像处理性能方面,基于全新的Adreno 530 GPU,全面支持OpenGL ES 3.1+ AEP、OpenCL 2.0 Full、Vulcan、RenderScript、64位虚拟寻址DirectX 11.2、硬件曲面细分、几何着色器、可编程混合,图像处理性能相比采用Adreno 430 GPU的骁龙810提升40%,且功耗更低。
与此同时,骁龙820还整合了X12 LTE基带,兼容兼容LTE FDD、LTE TDD、WCDMA (DB-DC-HSDPA/DC-HSUPA)、TD-SCDMA、CDMA 1x/EVDO、GSM/EDGE频段,支持Cat12、Cat13标准,理论上下行速率分别为150Mbps和600Mbps,峰值下载速率比采用X10 LTE几代的骁龙810提升33%。
WiFi无线方面,整合高通VIVE 802.11ac,三频段Wi-Fi,2x2 MU-MIMO(多用户多入多出),蓝牙4.1,NFC,支持Wi-Fi高清语音、视频通话,Wi-Fi质量实时监控。
续航方面,骁龙820引入了Quick Charge 3.0技术,相比Quick Charge 2.0充电效率提升38%,且充电效率4倍于普通充电器。
