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中芯国际光刻机到底什么层次呢？
我们知道最近中芯国际压力很大,它发布通告：称已知悉美国商务部工业与安全局根据美国出口管制条例向部分供应商发出信函。
并且已经对向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制,须事前申请出口许可证后,才能向中芯国际继续供货。
可见,在美国制裁华为之后,中芯国际确实承受了很大的压力,如今的制裁,也确实说明了中芯国际想要给华为芯片代工,可能也缺乏难度。
我们可能过度美化了中芯国际的优势,从目前来看,中芯国际最厉害的技术是能够量产14nm芯片,但是之前有消息称会有N＋1和N＋2方案,都是无限接近7nm工艺制程。
而且,梁孟松进入中芯后,量产且研发14nm出来后,仅用9个月完成的成绩,如今8nm攻克并且将试产,这确实让我们感觉到虽然比不过台积电,但是在技术方面也并不差。其实,我们对于中芯国际应该有两种态度,第1种态度,不要过分的夸大中芯国际的能力,实际上中芯国际和目前的顶级芯片代工企业台积电等还是有一定的差异,毕竟他们已经在研发更高层次的工艺制程。
第2种态度,我们也不要小看中芯国际的能力,除了一些主要的顶级芯片代工企业之外,中芯国际的表现也可圈可点,它能够满足大部分芯片的代工需求。
我们也希望中芯国际能够不断的拓展它的技术和能力,能够满足我们对于芯片代工的需求。
中芯国际的高端光刻机来自于荷兰ASML,可以量产14nm的芯片,预计今年量产7nm制程工艺的芯片,目前ASML最先进的光刻机是EUV极紫外光刻机。
我国生产光刻机的厂商是上海微电子,可以量产90nm工艺的光刻机,占据了80%的低端光刻机市场,毕竟大多数芯片是不需要高端光刻机的。
中芯国际：14nm和7nm中芯国际是我国国内的晶圆代工厂,并不生产光刻机,高端光刻机主要来自于荷兰的ASML,而是利用光刻机生产芯片,根台积电差不多。
目前,中芯国际代工14nm制程工艺的芯片,良品率达到了95%以上。华为旗下的海思半导体已经下单中芯国际的14nm工艺,从台积电哪里抢下了不少订单。
早在2018年,中芯国际就在ASML预定了EUV光刻机,用于生产研发7nm工艺的芯片。但是,因为很多外界因素,至今没有收货,被逼无奈下,中芯国际在现有的基础上成功研发了N+1、N+2工艺,也就是7nm工艺。在N+1、N+2代的工艺不会使用EUV工艺,等到EUV设备就绪之后,才会转向EUV光刻工艺。
上海微电子：90nm我国生产光刻机的厂商是上海微电子,可以稳定生产90nm制程工艺的光刻机,与荷兰ASML最新的7nm EUV光刻机还是有很大差距的,而且这些差距是无法跳过的,只有成功量产65nm、24nm等光刻机,之后才能进行下一代光刻机的研发。
其实,上海微电子和荷兰ASML在光刻机上的差距,反映了我国和西方精密制造领域的差距,一台顶级的EUV光刻机,关键零部件来自于不同的西方发达国家,美国的光栅、德国的镜头、瑞典的轴承等等,最关键的是这些顶级零部件对我国是禁运的。
上海微电子作为一家系统集成商,自己并不生产关键的零部件,所以做不出22nm以下的光刻机也不是他的责任。目前,只有做好了中低端,慢慢培养国内零部件厂商,才能一点一点的往上走。
荷兰ASML：7nm和5nm目前,光刻机的大佬是荷兰的ASML,占据了高达80%的市场份额,最先进的EUV光刻机全球只有ASML能够生产,技术门槛极高,是人类智慧集大成的产物。
ASML的光刻机,90%的零件均自外来,德国的光学设备和超精密仪器,美国的计量设备和光源设备等,ASML要做的就是精密控制,在7nm的工艺下,将误差分担到13个系统,3万多个分件。
EUV光刻机的产量很低,而且ASML还有一个奇特的规定,只有投资了ASML才有优先供货权,而台积电、英特尔、三星、海力士都在ASML有相当可观的股份,大半个半导体行业都是ASML的合作伙伴。
总之,我国的上海微电子生产的光刻机与荷兰ASML还有很大的差距,一个90nm,一个7nm EUV光刻机。在晶圆代工领域,中芯国际和台积电是竞争对手,一个是量产14nm,一个是量产7nm EUV。
如果觉得对你有帮助,可以多多点赞哦,也可以随手点个关注哦,谢谢。中芯国际光刻机究竟什么层次,有权威、全面解答吗？光刻机是芯片制造中重要的核心设备之一。中芯国际在晶圆代工厂中排名第五位,但工艺制程与台积电、三星相比还有不少的差距,其光刻机档次也不高。
拥有全球顶尖的光刻机及先进工艺制程还属台积电、三星,这两家代工厂目前拥有全球最先进的光刻机,可以量产到7nm工艺制程,并且正在向5nm进军、研讨3nm工艺制程的可行性。而中芯国际由于未能拥有全球先进的ASML高端光刻机,在工艺制造上就显得要落后不少,去年中芯国际才开始量产14nm工艺制程芯片。
虽然2018年中芯国际就向ASML高价订购了一台先进的高端的EUV光刻机,但由于美国的阻挠又祭出了瓦森纳协议,迟迟不能到位。在此情况下中芯国际在现有设备基础上正在研发新的工艺技术以达到能够制造7nm工艺制程芯片。那就是中芯国际所说的N+1、N+2制程。
N+1、N+2可达到7nm工艺制程,但与台积电的7nm EUV工艺制程又有区别。台积电7nm EUV利用先进的EUV高端光刻机,可以一次曝光完成,具有高效而且低功耗特点。而中芯国际的7nm利用多次曝光完成,效率较低,性能有所不如,N+2在N+1基础上面向的是高性能、但成本会增加。
从目前来看中芯国际与台积电有2-3代的代际差,其光刻机并非国产的。国产最好的光刻机就是上海微电子SMEE所生产的面向90nm工艺制程的,差距更为明显。但国内目前已经攻克了较为关键的光源问题,比如武汉广电国家研究中心已经研发出新的技术,可以达到9nm工艺制程,不过还停留在实验室阶段,离正式生产还有不少的距离。
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