据报道称:上海微电子将在2021年交付采用ARF光源制程工艺为28纳米的光刻机,并且次光刻机在经过多次曝光之后,可以制造出11纳米制程的芯片。目前来看,这个消息应该是真的。也就是说,国内在2021年,就有自己制造的生产28纳米制程芯片的光刻机了。虽说,还不能与阿斯麦公司的极紫外EUV光刻机相比,但是足以推进我国工业芯片和军用芯片的性能向前迈一大步了。
按光源来分的话,光刻机已经发展了五代。第一代是采用波长为436纳米的g-line光源的光刻机,其制程工艺节点为800纳米-250纳米；第二代采用波长为365纳米的i-line光源的光刻机,其制程工艺节点也是800纳米-250纳米；第三代采用波长为248纳米的KRF光源的光刻机,其制程工艺节点为180纳米-130纳米；第四代也就是波长为139纳米的Arf光源的光刻机,其制程工艺节点为130纳米-65纳米,45纳米-22纳米；第五代也就是波长为13.5纳米的EUV光源的极紫外光刻机,其制程节点为22纳米-7纳米。
而上海微电子将在2021年交付的也就是第四代光刻机,制程工艺节点为28纳米。其实上海微电子与2007年制造了制程工艺节点为90纳米的光刻机,迄今过去了13年。经过14年的发展,再次拿出第四代光刻机也是很正常的。虽说,我国现在无法制造出二氧化碳EUV光源,但是在固体深紫外光源的研发上是处于国际领先地位的,最明显的例子就是KBBF晶体。
另外光刻机比较重要的镜头,国内也是可以自制的。长春光机所于2016年研发出了波像差优于0.75 nm RMS 的两镜EUV 光刻物镜系统。清华大学也在2014年研发出掩模台/硅片台同步扫描指标实测达到2.2nm,4.7nm。所以说,光刻机最重要掩膜台和工作台,镜头组,光源都可以由国内单位自己制造出来,那么上海微电子研制出制程工艺为28纳米的光刻机也没有什么可怀疑的。只是在明年交付之后,芯片的良品率并不会一下子就上去,还要过段时间才可以提升上去。
另外,上海微电子即将交付的光刻机,在经过多次曝光之后,制程工艺还可以提高到11纳米。这样一来,对那些芯片并不急需,但要求制程工艺的公司来说,也是一个好消息。毕竟国内有了这种光刻机,就不必在受到国外的制裁了。对于EUV光源,我国还需要加大研发力度,争取早日取得突破。只要光源突破之后,那剩下的就没有什么太大的难题了
由此可知,上海微电子交付28纳米制程工艺的光刻机有较大意义。
让你失望了,上海微电孑没有研制出11纳米的光刻机。但是,再告诉你一个好消息,明年,上海微电子将研制出28纳米的光刻机,经过多次光刻后,能精确到11纳米。再告诉你个更大的好消息,我们国家的实验室里巳经研制成功了9纳米光刻机,虽然,工厂化量产还得多年以后。相信.,上海微电子所一定会不辱使命,在光刻机领域大展伸手,舞出明天中国光刻机的一片希望之所。
这个消息不好定论,提供多少纳米工艺一般指光波长,11nM特意避开常用波长怕别人记不住？我所知道的好用的激光器一般规格是一样的基波长,然后都携带一串幅度减小的多个高次谐波,1/3,1/5,1/7波长…有限一连串的波,用滤波器把波长极短的那个给滤出来做为最小的光斑使用,所以少有8,9,10nM的波长,所以11nM有没有难说,请大家判断,或请发消息者说明是哪来的。
